Consideraciones de diseño para un sistema de epitaxia por haces moleculares (MBE) en la industria semiconductor

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorZehe, Alfred
dc.contributor.authorMonjarás Machorro, María del Rosario
dc.coverage.placeBiblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2025-06-10T18:38:20Z
dc.date.available2025-06-10T18:38:20Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractEl diseño de un sistema MBE (epitaxia por haces moleculares) requiere condiciones ultraalto vacío, control térmico preciso y una geometría que asegure la deposición uniforme de materiales sobre sustratos semiconductores. Entre las consideraciones clave están el tipo y número de celdas efusoras, los sistemas de monitoreo in situ (como RHEED), y la integración de automatización y seguridad. Esta técnica permite el crecimiento de capas delgadas con precisión atómica, esenciales en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, láseres y transistores de alta velocidad, favoreciendo la innovación en la industria de semiconductores.
dc.identifier.bibrecordIQ2003 M6C6
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/28841
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccSemiconductores—Crecimiento epitaxial—Haces moleculares (MBE)
dc.subject.lccIngeniería de materiales—Diseño de equipos—Nanotecnología
dc.subject.lccProcesos de fabricación—Depósito en vacío—Alta tecnología
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería Química
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingeniería Química
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) Químico (a)
dc.titleConsideraciones de diseño para un sistema de epitaxia por haces moleculares (MBE) en la industria semiconductor
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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