Influencia del espesor en las propiedades ópticas y estructurales de películas de oxicarburo de silicio crecidas por HFCVD

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributorLópez Hernández, Osvaldo
dc.contributorRomano Trujillo, Román
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.advisorLOPEZ HERNANDEZ, OSVALDO; 233470
dc.contributor.advisorROMANO TRUJILLO, ROMAN; 176893
dc.contributor.authorQuevedo Cassio, Esteban
dc.date.accessioned2025-04-08T19:31:55Z
dc.date.available2025-04-08T19:31:55Z
dc.date.issued2024-11
dc.description.abstract"La búsqueda constante de nuevos materiales ha permitido importantes avances tecnológicos logrando un crecimiento exponencial en los últimos años. Pareciera que en la carrera de los materiales semiconductores estamos llegando a cierto límite en cuanto a la integración de dispositivos electrónicos (principalmente tecnología del silicio), el cual se busca superar dentro de no mucho tiempo. Hasta la fecha el silicio es el material semiconductor comúnmente más utilizado y de vital importancia en el desarrollo de dispositivos microelectrónicos. En el área de las energías renovables, el silicio es muy utilizado dada su abundancia, eficiencia, estabilidad y durabilidad. Una característica interesante del silicio es que en su estado base no presenta fotoluminiscencia, pero en 1990 L.T. Canham, demostró que puede presentarla si modificamos su superficie. Otros materiales fotoluminiscentes basados en silicio, que responden su origen de emisión a defectos radiativos, han sido desarrollados tales como: SRO (Óxidos Ricos en Silicio), SRC (Carburos Ricos en Silicio), SiO (Óxidos de silicio) y SiCxOy (Oxicarburo de silicio). El objetivo es depositar y caracterizar películas fotoluminiscentes de oxicarburo de silicio (SiCxOy) de bajo espesor mediante la técnica HFCVD".
dc.folio20241212105436-6501-TL
dc.formatpdf
dc.identificator7
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/27419
dc.language.isospa
dc.matricula.creator201643179
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccPelículas delgadas--Superficies--Análisis
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas--Evaluación
dc.subject.lccDeposición química de vapor
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería en Energías Renovables
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Ingeniería en Energías Renovables
dc.titleInfluencia del espesor en las propiedades ópticas y estructurales de películas de oxicarburo de silicio crecidas por HFCVD
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.conacytbachelorThesis
dc.type.degreeLicenciatura
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