Estudio de las características eléctricas de estructuras tipo MOS con SiOX para su posible aplicación a fotodetectores
Date
2016-05
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
"La presente tesis está enfocada en la caracterización óptica y eléctrica de
estructuras tipo MOS con SiOx para su posible aplicación en fotodetectores. Se realizaron películas de SiOx con diversos parámetros de fabricación, y se emplearon dos tipos de compuertas, una estructura con compuerta de Aluminio y la otra con FTO (oxido de estaño dopado con flúor). Las películas de SiOx de película delgada tienen propiedades ópticas y estructurales muy interesantes, las cuales pueden ser usadas como capas absorbentes de radiación UV-Visible que pueden ser aplicadas en la fotodetección, esto debido al efecto combinado de los nanocristales de silicio y defectos presentes en la película SiOx".
Description
Keywords
Citation
Collections
Document Viewer
Select a file to preview:
Can't see the file? Try reloading