Propiedades electrónicas, topológicas y termoeléctricas de sistemas basados en grafeno/Bi2Se3
dc.audience | generalPublic | |
dc.contributor | Meza Montes, Lilia | |
dc.contributor | Salazar Kuri, Ulises | |
dc.contributor.advisor | MEZA MONTES, LILIA; 5327 | |
dc.contributor.advisor | SALAZAR KURI, ULISES; 209525 | |
dc.contributor.author | De la Rosa Jasso, Alejandra de Jesús | |
dc.date.accessioned | 2025-01-08T21:49:06Z | |
dc.date.available | 2025-01-08T21:49:06Z | |
dc.date.issued | 2024-10 | |
dc.description.abstract | "El grafeno y los aislantes topológicos como el Bi2Se3 son materiales bidimensionales con propiedades electrónicas, termoeléctricas y topológicas únicas que los hacen prometedores para diversas aplicaciones. Las capas que forman estas heteroestructuras convencionales tienen grosores que van desde decenas hasta cientos de nanómetros. La búsqueda de reducir las dimensiones de los dispositivos condujo al descubrimiento del primer material 2D, el grafeno, que ha ganado relevancia en las últimas décadas por sus propiedades y aplicaciones. Fue obtenido por primera vez en 2004 por Geim y Novoselov por medio de exfoliación mecánica, exhibiendo propiedades electrónicas características de semimetal y dando paso a la formación de heteroestructuras con materiales 2D unidos por medio de fuerzas de van der Waals (vdW), evolucionando así las convencionales hechas en bulto. El objetivo de esta tesis es contribuir al entendimiento, por medio de cálculos de primeros principios, de las propiedades electrónicas, termoeléctricas y la caracterización de las propiedades topológicas con el invariante Z2 en el grafeno, 1 y 3 QLs de Bi2Se3 y los sistemas en heterestructuras de grafeno con 1 y 3 QLs de Bi2Se3, con dos tipos de apilamiento". | |
dc.folio | 20241014144610-2658-T | |
dc.format | ||
dc.identificator | 1 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/23624 | |
dc.language.iso | spa | |
dc.matricula.creator | 222470400 | |
dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
dc.rights.acces | openAccess | |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
dc.subject.classification | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA | |
dc.subject.lcc | Ingeniería (general)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales especiales--Materiales no metálicos--Grafeno | |
dc.subject.lcc | Electrónica--Aparatos y materiales--Semiconductores | |
dc.subject.lcc | Heterostructuras--Propiedades--Investigación | |
dc.subject.lcc | Materiales bidimensionales--Propiedades--Investigación | |
dc.thesis.career | Maestría en Ciencias (en la Especialidad de Ciencias de Materiales) | |
dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
dc.thesis.degreegrantor | Instituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas" | |
dc.thesis.degreetoobtain | Maestro (a) en Ciencias (Ciencias de Materiales) | |
dc.title | Propiedades electrónicas, topológicas y termoeléctricas de sistemas basados en grafeno/Bi2Se3 | |
dc.type | Tesis de maestría | |
dc.type.conacyt | masterThesis | |
dc.type.degree | Maestría |
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