Fabricación de diodos semiconductores mediante el crecimiento de películas de GaAs tipo P utilizando la técnica CSVT empleando hidrógeno atómico como reactante
Date
2002
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autonóma de Puebla
Abstract
Crecimiento de películas semiconductoras tipo P mediante la técnica de Transporte en Fase Vapor a Corta Distancia (CSVT), seleccionada por su sencillez, bajo costo y menor consumo de precursores respecto a otras técnicas de crecimiento epitaxial como LPE, MBE y MOCVD. El trabajo busca demostrar la viabilidad del crecimiento de películas tipo P utilizando hidrógeno atómico como único agente reactante, contribuyendo al desarrollo de técnicas eficientes y económicas para la fabricación de materiales semiconductores.