Fabricación de diodos semiconductores mediante el crecimiento de películas de GaAs tipo P utilizando la técnica CSVT empleando hidrógeno atómico como reactante

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorSilva Andrade Francisco
dc.contributor.advisorBravo García Yolanda
dc.contributor.authorCruz Fermín Tenorio
dc.coverage.placeTesiteca Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-09-30T17:40:10Z
dc.date.available2026-09-30T17:40:10Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractCrecimiento de películas semiconductoras tipo P mediante la técnica de Transporte en Fase Vapor a Corta Distancia (CSVT), seleccionada por su sencillez, bajo costo y menor consumo de precursores respecto a otras técnicas de crecimiento epitaxial como LPE, MBE y MOCVD. El trabajo busca demostrar la viabilidad del crecimiento de películas tipo P utilizando hidrógeno atómico como único agente reactante, contribuyendo al desarrollo de técnicas eficientes y económicas para la fabricación de materiales semiconductores.
dc.identifier.bibrecordLELE2002 C7 F3
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33903
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autonóma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccDiodos semiconductores
dc.subject.lccPelículas delgadas semiconductoras
dc.subject.lccEpitaxia de fase de vapor
dc.subject.lccCrecimiento epitaxial
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleFabricación de diodos semiconductores mediante el crecimiento de películas de GaAs tipo P utilizando la técnica CSVT empleando hidrógeno atómico como reactante
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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Tesis de Licenciatura