Contactos óhmicos de baja resistividad para dispositivos de GaSb
Date
1998-05
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
Los detectores IR en el régimen de 8-14 μm basados en superredes de GaAlSb/AlSb, InAs/InGaSb e InAsSb se creen de una gran competición para los detectores de hoy en día de HgCdTe. Comparado con otros compuestos III-V, tales como GaAs, InSb, InP y GaP, los aspectos tecnológicos del GaSb han sido poco estudiados actualmente.
En este trabajo nos enfocamos a una parte importante del proceso de fabricación de dispositivos optoelectrónicos: la formación de contactos óhmicos de baja resistividad en GaSb. Enfocamos nuestro estudio en la fabricación de interfaces metal-semiconductor y desarrollamos un proceso que disminuye la resistencia eléctrica entre ellos.
El trabajo se desarrollará bajo la siguiente temática: en el capítulo 1 describimos teóricamente los contactos metal-semiconductor, iniciamos con una breve reseña histórica y resumimos los principales mecanismos de transporte eléctrico en esta interfaz. En el capítulo 2 mostramos los diferentes métodos de medición de la resistencia de contacto, enfocándonos en semiconductores binarios y en el método de Kuphal. En el capítulo 3 describimos la forma experimental que usamos para obtener nuestros contactos eléctricos. Finalmente, en el capítulo 4 analizamos los resultados obtenidos y hacemos una discusión de ellos.