Contactos óhmicos de baja resistividad para dispositivos de GaSb

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorZarate Corona, Oscar
dc.contributor.advisorHerrera Pérez, José Luis
dc.contributor.authorLópez Gayou, Valentín
dc.coverage.placeTesiteca, Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-06-23T21:40:10Z
dc.date.available2026-06-23T21:40:10Z
dc.date.issued1998-05
dc.description.abstractLos detectores IR en el régimen de 8-14 μm basados en superredes de GaAlSb/AlSb, InAs/InGaSb e InAsSb se creen de una gran competición para los detectores de hoy en día de HgCdTe. Comparado con otros compuestos III-V, tales como GaAs, InSb, InP y GaP, los aspectos tecnológicos del GaSb han sido poco estudiados actualmente. En este trabajo nos enfocamos a una parte importante del proceso de fabricación de dispositivos optoelectrónicos: la formación de contactos óhmicos de baja resistividad en GaSb. Enfocamos nuestro estudio en la fabricación de interfaces metal-semiconductor y desarrollamos un proceso que disminuye la resistencia eléctrica entre ellos. El trabajo se desarrollará bajo la siguiente temática: en el capítulo 1 describimos teóricamente los contactos metal-semiconductor, iniciamos con una breve reseña histórica y resumimos los principales mecanismos de transporte eléctrico en esta interfaz. En el capítulo 2 mostramos los diferentes métodos de medición de la resistencia de contacto, enfocándonos en semiconductores binarios y en el método de Kuphal. En el capítulo 3 describimos la forma experimental que usamos para obtener nuestros contactos eléctricos. Finalmente, en el capítulo 4 analizamos los resultados obtenidos y hacemos una discusión de ellos.
dc.identifier.bibrecordLELE1998 L6 C6
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33215
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccIngeniería eléctrica —Conductividad eléctrica—Semiconductores—Ingeniería nuclear—Normas y mediciones eléctricas—Ohm—Electroóptica aplicada
dc.subject.lccOptoelectrónica —Películas delgadas—Dopaje—Electricidad y magnetismo—Amplificadores—Teoría electromagnética–Circuitos especiales
dc.subject.lccFísica de semiconductores—Corriente eléctrica
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleContactos óhmicos de baja resistividad para dispositivos de GaSb
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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