Investigación y diseño de un controlador de compuerta para dispositivos de conmutación de nitruro de galio GaN
Date
2023-12
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"Las tendencias y retos actuales en el diseño de electrónica de potencia se enfocan no solo en aumentar la eficiencia, densidad de potencia y energía, sino también en mejorar la fiabilidad de estos sistemas, todo esto sin aumentar los costos. Los dispositivos semiconductores tradicionales, como el Silicio (Si), ya no logran cubrir de manera adecuada las demandas actuales de los sistemas de potencia. Los dispositivos semiconductores de banda prohibida ancha, muestran una tendencia hacia su integración; sin embargo, en aplicaciones de altas potencias surgen distintos retos. Por un lado, los dispositivos de Carburo de Silicio se ven limitados en sus propias características. Por otro lado, los dispositivos de Nitruro de Galio (GaN) cubren estas limitaciones, pero a altas frecuencias de conmutación y potencia, presentan sobre-impulsos y oscilaciones, lo cual deriva en Interferencias Electromagnéticas (EMI). Se considera crucial que las investigaciones se centren en la generación de alternativas y soluciones que reduzcan o, en su caso, eliminen tanto los sobre-impulsos como las oscilaciones. Este trabajo se enfoca en mejorar el comportamiento en las transiciones de encendido y apagado del dispositivo de GaN".
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