Crecimiento de capas epitaxiales de GaSb/GaSb con espesores nanométricas
Date
2025-08
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“El desarrollo de nuevos semiconductores, en particular del antimoniuro de galio (GaSb), es un campo de investigación en rápida expansión debido a sus propiedades únicas y su aplicación en dispositivos optoelectrónicos. GaSb es un semiconductor binario con un rango espectral que abarca longitudes de onda del infrarrojo medio entre 0.82 y 4.5 micrómetros, destacándose por su ancho de banda prohibida de 0.72 eV a 300 K y 0.81 eV a 2 K. La técnica de epitaxia desde la fase líquida (EFL) se utiliza para crecer películas delgadas de alta calidad cristalina en este material, permitiendo el desarrollo de dispositivos eficientes como láseres y fotodetectores. La calidad estructural y óptica de las capas obtenidas se evalúa a través de diversas técnicas de caracterización, siendo la fotoluminiscencia una de las más importantes para determinar la eficacia de la deposición. Este trabajo se enfoca en la síntesis y caracterización de películas de GaSb con espesores nanométricos, contribuyendo al entendimiento de sus propiedades eléctricas y estructurales”.
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