Crecimiento de capas epitaxiales de GaSb/GaSb con espesores nanométricas
Date
2025-08
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“La presente tesis tiene como objetivo el obtener películas de GaSb/GaSb mediante epitaxia en fase líquida en el rango de 300ºC a 200ºC con espesores menores a 1 micra (nanométricas). Realizar la síntesis y la caracterización de películas epitaxiales de GaSb crecidas sobre sustratos de GaSb con espesores menores a 1 micra (nanométricas), utilizando la técnica de Epitaxia desde la Fase Líquida”.
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