Crecimiento de capas epitaxiales de GaSb/GaSb con espesores nanométricas

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorRojas López, Marlon
dc.contributorDe Anda Salazar, Francisco
dc.contributorOlvera Hernández, Javier
dc.contributor.advisorRojas López, Marlon; 0000-0001-5595-9348
dc.contributor.authorPalafox Plata, Maricruz
dc.date.accessioned2026-01-29T21:05:19Z
dc.date.available2026-01-29T21:05:19Z
dc.date.issued2025-08
dc.description.abstract“El desarrollo de nuevos semiconductores, en particular del antimoniuro de galio (GaSb), es un campo de investigación en rápida expansión debido a sus propiedades únicas y su aplicación en dispositivos optoelectrónicos. GaSb es un semiconductor binario con un rango espectral que abarca longitudes de onda del infrarrojo medio entre 0.82 y 4.5 micrómetros, destacándose por su ancho de banda prohibida de 0.72 eV a 300 K y 0.81 eV a 2 K. La técnica de epitaxia desde la fase líquida (EFL) se utiliza para crecer películas delgadas de alta calidad cristalina en este material, permitiendo el desarrollo de dispositivos eficientes como láseres y fotodetectores. La calidad estructural y óptica de las capas obtenidas se evalúa a través de diversas técnicas de caracterización, siendo la fotoluminiscencia una de las más importantes para determinar la eficacia de la deposición. Este trabajo se enfoca en la síntesis y caracterización de películas de GaSb con espesores nanométricos, contribuyendo al entendimiento de sus propiedades eléctricas y estructurales”.
dc.folio20250902112707-0135-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/31109
dc.language.isospa
dc.matricula.creator264701509
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccQuímica--Química física y teórica--Teoría de la disolución--Cristalización, etc.
dc.subject.lccPelículas delgadas--Síntesis
dc.subject.lccPelículas delgadas--Superficies--Análisis
dc.thesis.careerMaestría en Ciencias (Física Aplicada)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias Físico Matemáticas
dc.thesis.degreetoobtainMaestro (a) en Ciencias (Física Aplicada)
dc.titleCrecimiento de capas epitaxiales de GaSb/GaSb con espesores nanométricas
dc.typeTesis de maestría
dc.type.conacytmasterThesis
dc.type.degreeMaestría
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