Películas delgadas semiconductoras de β-Ag2Se tipo n y formación del composito β-Ag2Ae/Ag por depósito electroquímico

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorCalixto Rodríguez, María Estela
dc.contributor.advisorCalixto, Maria Estela; 0000-0002-9611-3346
dc.contributor.authorRomán Valera, Carlos Agusto Martín
dc.date.accessioned2025-09-01T19:31:44Z
dc.date.available2025-09-01T19:31:44Z
dc.date.issued2025-02
dc.description.abstract"El seleniuro de plata (β-Ag₂Se) es un prometedor semiconductor tipo n para aplicaciones termoeléctricas por su baja banda prohibida y elevado factor de potencia (FP), aunque su producción se ha limitado por métodos físicos costosos; en este trabajo se propone una síntesis ultrarrápida mediante electrodepósito, técnica de bajo costo, reproducible y escalable, que permitió obtener películas delgadas y compositos β-Ag₂Se/Ag con control de espesor y composición, confirmándose experimentalmente por espectroscopía elipsométrica un valor de banda prohibida de 0.24 eV, lo que ratifica su carácter de semiconductor de banda estrecha, además las películas resultaron altamente cristalinas con conductividad tipo n, concentraciones de portadores de 10¹⁹ cm⁻³ y movilidades de hasta 410 cm²/V·s; en cuanto a su desempeño, películas de 740 nm alcanzaron un FP de 8.03 μW/cm·K², que aumentó a 11.69 μW/cm·K² tras tratamiento térmico, mientras que los compositos multicapa y tipo sándwich enriquecido en selenio lograron valores de 10.77 y 13.76 μW/cm·K², representando una mejora del 71.5%, asimismo se diseñó un método de transferencia a sustratos no conductores sin daño estructural, facilitando la caracterización directa y su integración en dispositivos flexibles".
dc.folio20250529151803-6890-T
dc.formatpdf
dc.identificator7
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/29367
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570009
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.lccFísica--Constitución y propiedades de la materia--Sólidos--Películas delgadas
dc.subject.lccMateriales nanoestructurados--Síntesis
dc.subject.lccPelículas delgadas--Materiales
dc.subject.lccMinerales de plata
dc.subject.lccMateriales compuestos
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (en la Especialidad de Ciencia de Materiales)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas"
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Ciencia de Materiales)
dc.titlePelículas delgadas semiconductoras de β-Ag2Se tipo n y formación del composito β-Ag2Ae/Ag por depósito electroquímico
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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