Películas delgadas semiconductoras de β-Ag2Se tipo n y formación del composito β-Ag2Ae/Ag por depósito electroquímico
Date
2025-02
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Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"El seleniuro de plata (β-Ag₂Se) es un prometedor semiconductor tipo n para aplicaciones termoeléctricas por su baja banda prohibida y elevado factor de potencia (FP), aunque su producción se ha limitado por métodos físicos costosos; en este trabajo se propone una síntesis ultrarrápida mediante electrodepósito, técnica de bajo costo, reproducible y escalable, que permitió obtener películas delgadas y compositos β-Ag₂Se/Ag con control de espesor y composición, confirmándose experimentalmente por espectroscopía elipsométrica un valor de banda prohibida de 0.24 eV, lo que ratifica su carácter de semiconductor de banda estrecha, además las películas resultaron altamente cristalinas con conductividad tipo n, concentraciones de portadores de 10¹⁹ cm⁻³ y movilidades de hasta 410 cm²/V·s; en cuanto a su desempeño, películas de 740 nm alcanzaron un FP de 8.03 μW/cm·K², que aumentó a 11.69 μW/cm·K² tras tratamiento térmico, mientras que los compositos multicapa y tipo sándwich enriquecido en selenio lograron valores de 10.77 y 13.76 μW/cm·K², representando una mejora del 71.5%, asimismo se diseñó un método de transferencia a sustratos no conductores sin daño estructural, facilitando la caracterización directa y su integración en dispositivos flexibles".
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