Crecimiento y estudio de las propiedades de películas delgadas del nuevo sistema semiconductor CuCdTeO
Date
2007-08
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“Se obtuvieron películas de CdTe a temperatura ambiente y 400 ◦C. Las muestras crecidas a 400 ◦C presentan una mejor estructura cristalina respecto a las depositadas a temperatura ambiente. Esto último se ve reflejado en los espectros de absorción óptica, en donde las regiones de absorción de niveles creados por los defectos de estructurales son más evidentes en la muestra obtenida a temperatura ambiente. Los difractogramas de la serie crecida incorporando oxígeno durante el crecimiento muestran que las películas resultaron ser policristalinas y que a bajas concentraciones de oxígeno se presenta una mezcla de fases cúbica (C) y hexagonal (H). El pico principal en 2θ ∼ 23.7 ◦ corresponde a una estructura tipo CdT e y es asociado a la difracción de los planos 111C/002H. Este pico se encuentra presente en la mayoría de las muestras, a excepción de la muestra crecida con flujo de 11sccm de oxígeno, en la cual se observa un pico en 2θ ∼ 29.04 ◦ originado por la difracción de los planos correspondientes al CdT eO3. Esto concuerda con los resultados obtenidos por espectroscopia Raman, en donde el modo LO ∼ 166 cm−1, característico del CdT e, desaparece por completo en esta muestra observándose la aparición de una banda muy ancha en el intervalo ∼ 450 − 750 cm−1, la cual ha sido asociada a las vibraciones de enlaces tipo T e−O”.
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