Crecimiento y estudio de las propiedades de películas delgadas del nuevo sistema semiconductor CuCdTeO

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorJiménez Sandoval, Sergio
dc.contributorLozada Morales, Rosendo
dc.contributor.advisorJiménez Sandoval, Sergio; 0000-0002-7303-9753
dc.contributor.advisorLozada Morales, Rosendo; 0009-0008-5060-3148
dc.contributor.authorCarmona Rodríguez, Julián Javier
dc.date.accessioned2026-07-15T21:50:43Z
dc.date.available2026-07-15T21:50:43Z
dc.date.issued2007-08
dc.description.abstract“Se obtuvieron películas de CdTe a temperatura ambiente y 400 ◦C. Las muestras crecidas a 400 ◦C presentan una mejor estructura cristalina respecto a las depositadas a temperatura ambiente. Esto último se ve reflejado en los espectros de absorción óptica, en donde las regiones de absorción de niveles creados por los defectos de estructurales son más evidentes en la muestra obtenida a temperatura ambiente. Los difractogramas de la serie crecida incorporando oxígeno durante el crecimiento muestran que las películas resultaron ser policristalinas y que a bajas concentraciones de oxígeno se presenta una mezcla de fases cúbica (C) y hexagonal (H). El pico principal en 2θ ∼ 23.7 ◦ corresponde a una estructura tipo CdT e y es asociado a la difracción de los planos 111C/002H. Este pico se encuentra presente en la mayoría de las muestras, a excepción de la muestra crecida con flujo de 11sccm de oxígeno, en la cual se observa un pico en 2θ ∼ 29.04 ◦ originado por la difracción de los planos correspondientes al CdT eO3. Esto concuerda con los resultados obtenidos por espectroscopia Raman, en donde el modo LO ∼ 166 cm−1, característico del CdT e, desaparece por completo en esta muestra observándose la aparición de una banda muy ancha en el intervalo ∼ 450 − 750 cm−1, la cual ha sido asociada a las vibraciones de enlaces tipo T e−O”.
dc.folio20260213134159-3160-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33432
dc.language.isospa
dc.matricula.creator235700059
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccPelículas delgadas--Síntesis
dc.subject.lccSistemas de energía fotovoltaica--Planeación
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades ópticas
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades eléctricas
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (Física Aplicada)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias Físico Matemáticas
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Física Aplicada)
dc.titleCrecimiento y estudio de las propiedades de películas delgadas del nuevo sistema semiconductor CuCdTeO
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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Tesis de Doctorado