Estudio de primeros principios de propiedades electrónicas, estructurales y ópticas de nitruros semiconductores del grupo V
Date
2011-02
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"En este trabajo de tesis calculamos las propiedades estructurales, electrónicas y ópticas de los compuestos AlN, GaN, InN y sus aleaciones ternarias Ga1−xAlxN y Ga1−xInxN como función de la concentración x, realizando para esto el cálculo de energía total por medio de métodos ab initio. Nuestro estudio lo realizamos trabajando en el marco teórico de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) utilizando la aproximación del gradiente generalizado (GGA) para calcular la energía de correlación e intercambio de la energía total, empleando el método de ondas planas aumentadas linealizadas (FP-LAPW). Para este estudio consideramos los nitruros semiconductores del grupo III en su estructura cristalina wurtzita. Los resultados obtenidos en este trabajo muestran que las propiedades analizadas tienen un comportamiento diferente comparado con la aproximación del cristal virtual. Hallamos que nuestros cálculos muestran una buena correlación con datos teóricos y experimentales obtenidos en la literatura para las propiedades estructurales, electrónicas y ópticas de los compuestos binarios y ternarios propuestos".
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