Estudio de primeros principios de propiedades electrónicas, estructurales y ópticas de nitruros semiconductores del grupo V
dc.audience | generalPublic | |
dc.contributor | Arriaga Rodríguez, Jesús | |
dc.contributor | Olguín Melo, Rito Daniel | |
dc.contributor.author | López Apreza, Edmundo | |
dc.date.accessioned | 2024-06-19T21:13:46Z | |
dc.date.available | 2024-06-19T21:13:46Z | |
dc.date.issued | 2011-02 | |
dc.description.abstract | "En este trabajo de tesis calculamos las propiedades estructurales, electrónicas y ópticas de los compuestos AlN, GaN, InN y sus aleaciones ternarias Ga1−xAlxN y Ga1−xInxN como función de la concentración x, realizando para esto el cálculo de energía total por medio de métodos ab initio. Nuestro estudio lo realizamos trabajando en el marco teórico de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) utilizando la aproximación del gradiente generalizado (GGA) para calcular la energía de correlación e intercambio de la energía total, empleando el método de ondas planas aumentadas linealizadas (FP-LAPW). Para este estudio consideramos los nitruros semiconductores del grupo III en su estructura cristalina wurtzita. Los resultados obtenidos en este trabajo muestran que las propiedades analizadas tienen un comportamiento diferente comparado con la aproximación del cristal virtual. Hallamos que nuestros cálculos muestran una buena correlación con datos teóricos y experimentales obtenidos en la literatura para las propiedades estructurales, electrónicas y ópticas de los compuestos binarios y ternarios propuestos". | |
dc.folio | 20240226163212-2870-T | |
dc.format | ||
dc.identificator | 1 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/20765 | |
dc.language.iso | spa | |
dc.matricula.creator | 235701235 | |
dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
dc.rights.acces | openAccess | |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0 | |
dc.subject.classification | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA | |
dc.subject.lcc | Semiconductores--Propiedades ópticas | |
dc.subject.lcc | Semiconductores--Propiedades eléctricas | |
dc.subject.lcc | Funcionales de densidad | |
dc.thesis.career | Doctorado en Ciencias (en la Especialidad de Ciencia de Materiales) | |
dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
dc.thesis.degreegrantor | Instituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas" | |
dc.thesis.degreetoobtain | Doctor (a) en Ciencias (Ciencia de Materiales) | |
dc.title | Estudio de primeros principios de propiedades electrónicas, estructurales y ópticas de nitruros semiconductores del grupo V | |
dc.type | Tesis de doctorado | |
dc.type.conacyt | doctoralThesis | |
dc.type.degree | Doctorado |
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