Estudio óptico y estructural de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) y su aplicación en estructuras MIS con respuesta de conmutación resistiva

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributorGarcía Salgado, Godofredo
dc.contributorMorales Sánchez, Alfredo
dc.contributor.advisorCoyopol Solís, Antonio; 0000-0001-5498-5640
dc.contributor.advisorGarcía Salgado, Godofredo; 0000-0002-5276-5641
dc.contributor.advisorMorales Sánchez, Alfredo; 0000-0003-3656-2497
dc.contributor.authorPedraza Chan, Imelda Antonia
dc.creatorPedraza Chan, Imelda Antonia; 0009-0000-6264-1928
dc.date.accessioned2026-10-05T17:02:33Z
dc.date.available2026-10-05T17:02:33Z
dc.date.issued2026-03-06
dc.description.abstract"El estudio de materiales a base de silicio continúa siendo un área de investigación activa en la actualidad. Sin embargo, el uso de materiales como el SiCxOy depositado bajo la técnica HFCVD no ha sido explorado, principalmente para aplicaciones en dispositivos de conmutación resistiva. De acuerdo con recientes investigaciones, el estudio del SiCxOy se ha centrado principalmente en sus propiedades de fotoluminiscencia (con longitudes de onda que van desde 370 a 720 nm), sus propiedades térmicas y su comportamiento bajo diferentes atmósferas de tratamiento térmico. No obstante, la evaluación de este material como dispositivo MIS (Metal - dieléctrico - Semiconductor) no ha sido explorado, lo cual representa una brecha de oportunidad para su investigación. Lo anterior se fundamenta en las propiedades ópticas y eléctricas modulables que posee el SiCxOy, características que lo posicionan como un material prometedor para el desarrollo de memorias resistivas no volátiles de bajo consumo energético (RRAM). Esta aplicación se alinea con las tendencias actuales de la microelectrónica de potencia y computación neuromórfica, basadas en tecnologías compatibles con CMOS".
dc.folio20260317140437-9529-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33953
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570363
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadas
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades opticas
dc.subject.lccPelículas delgadas--Superficies--Análisis
dc.subject.lccPeliculas delgadas--Propiedades eléctricas
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleEstudio óptico y estructural de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) y su aplicación en estructuras MIS con respuesta de conmutación resistiva
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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