Implementación de un sistema HFCVD para la obtención de películas dieléctricas luminiscentes de SiOC
Date
2018-09-06
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Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
“Para la obtención de películas dieléctricas fotoluminiscentes existen varias técnicas tales como; Depósito Químico en Fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por sus siglas en inglés), pulverización catódica, Depósito Químico en Fase Vapor a Bajas Presiones (LPCVD, por sus siglas en inglés), Sol gel y Depósito Químico en Fase Vapor por Filamento Caliente (HFCVD por sus siglas en inglés) [11-14] entre las más importantes [6-10]. Sin embargo, hasta el momento no se tiene evidencia y/o información de la obtención de películas dieléctricas de SiOC mediante la técnica HFCVD. Esta técnica posee muchas bondades como la obtención de razones de depósito altas en comparación con otras técnicas. Además la formación de precursores gaseosos es a partir de una fuente sólida y no de manera directa mediante la introducción de gases reactantes como silano (SiH4), metano (CH4) y dióxido de nitrógeno (NO2), los cuales son de combustión peligrosa y dañinos para la salud e incrementan el costo de síntesis de los materiales dieléctricos como él SRO y el SiOC [8]”.
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