Implementación de un sistema HFCVD para la obtención de películas dieléctricas luminiscentes de SiOC

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorGuevara Espinoza, María Dolores
dc.contributorCoyopol Solís, Antonio
dc.contributor.advisorCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687
dc.contributor.authorDomínguez Arellano, Marco Antonio
dc.date.accessioned2020-10-26T21:37:11Z
dc.date.available2020-10-26T21:37:11Z
dc.date.issued2018-09-06
dc.description.abstract“Para la obtención de películas dieléctricas fotoluminiscentes existen varias técnicas tales como; Depósito Químico en Fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por sus siglas en inglés), pulverización catódica, Depósito Químico en Fase Vapor a Bajas Presiones (LPCVD, por sus siglas en inglés), Sol gel y Depósito Químico en Fase Vapor por Filamento Caliente (HFCVD por sus siglas en inglés) [11-14] entre las más importantes [6-10]. Sin embargo, hasta el momento no se tiene evidencia y/o información de la obtención de películas dieléctricas de SiOC mediante la técnica HFCVD. Esta técnica posee muchas bondades como la obtención de razones de depósito altas en comparación con otras técnicas. Además la formación de precursores gaseosos es a partir de una fuente sólida y no de manera directa mediante la introducción de gases reactantes como silano (SiH4), metano (CH4) y dióxido de nitrógeno (NO2), los cuales son de combustión peligrosa y dañinos para la salud e incrementan el costo de síntesis de los materiales dieléctricos como él SRO y el SiOC [8]”.es_MX
dc.folio534118TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/8679
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201140550es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccMateriales nanoestructuradoses_MX
dc.subject.lccNanosilicioes_MX
dc.subject.lccMateriales--Propiedades mecánicases_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas--Propiedades mecánicases_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería en Materialeses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingeniería Químicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) en Materialeses_MX
dc.titleImplementación de un sistema HFCVD para la obtención de películas dieléctricas luminiscentes de SiOCes_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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